一顆氣泡毀掉1.8億！印能科技靠「除泡」稱霸全球九成市場

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Feb 13, 2026, 03:27 AM

一顆微小氣泡可能讓價值1.8億元的AI晶片報廢！台灣印能科技開發高壓真空除泡系統，全球市佔率達九成，成為台積電CoPoS平台首波供應商。深入解析先進封裝為何不能有氣泡，以及印能如何用四大技術稱霸市場。

印能科技專注於先進封裝製程中的「除泡」設備，其高壓真空除泡系統（VTS）在全球市佔率達九成。隨著 AI 晶片對先進封裝需求持續攀升，該公司已被納入台積電 CoPoS 平台的首波供應商名單。

要理解印能的價值，得先了解先進封裝製程中的痛點。

現在的 AI 晶片採用堆疊封裝技術，將多顆小晶片垂直堆疊在一起。在這個過程中，晶片之間需要填入膠材。如果膠材中殘留微小氣泡，當晶片高溫運作時，氣泡會膨脹，輕則造成訊號傳輸異常，重則直接撐裂晶片結構。

印能董事長洪誌宏曾舉例，他們曾協助客戶處理一爐 25 片晶圓的產品，價值高達 575 萬美元，約合新台幣 1.8 億元。在這種高單價的製程中，一顆氣泡就可能導致整爐報廢。洪誌宏形容：「在先進封裝裡，良率沒有 99 分，只有 0 分和 100 分的差別。」

印能的核心設備 VTS（高壓真空除泡系統），透過精準控制壓力與溫度，將膠材中的微小氣泡「逼」出來，確保封裝良率。

除了氣泡問題，印能的技術還涵蓋另外三個先進封裝的痛點。

第一是翹曲（Warpage），隨著晶片越做越薄、面積越做越大，製程中的熱脹冷縮容易導致晶片彎曲變形。印能開發的翹曲抑制系統（WSS），可在製程中維持晶片平整。

第二是高溫熔焊（Metal Joint），堆疊封裝需要透過金屬接點連接不同層的晶片，熔焊過程的溫度控制直接影響接點品質。

第三是散熱（Heat Dissipation），AI 晶片的功耗越來越高，散熱成為關鍵挑戰。印能目前正在開發一種可應對單顆晶片 1200 瓦高功率的「氣冷」測試設備。洪誌宏認為，雖然市場普遍看好液冷技術，但氣冷技術仍有發展空間，若能成功，可為客戶省下大量液冷建置成本。

印能將自身定位為「控制高壓真空中的熱流」的專家，上述四大問題都與此核心能力相關。

2025 年 8 月，台積電推出下一代面板級先進封裝技術 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate），印能入列首波供應商名單，成為 13 家廠商之一。

CoPoS 是為了因應 AI 晶片對電源管理和訊號傳輸更高要求而生的新平台，將晶片封裝在大型方形基板上，取代傳統圓形矽中介層，目標是提升高階 AI 晶片的產能與良率。該技術預計 2026 年試產，2028 至 2029 年量產。

除了台積電，印能的客戶還包括日月光、力成等封測大廠。隨著晶圓代工廠的 CoWoS 先進封裝產線滿載，超額需求外溢至封裝代工（OSAT）業者，各大封測廠紛紛擴建符合晶圓代工廠標準的產線。印能的設備因高度相容於這些製程規範，可快速導入新建產線，訂單動能隨之增強。

印能的第四代產品「EvoRTS」曾獲得 R&D 100 Awards，該獎項有「工程界諾貝爾獎」之稱。

這套系統將「除泡」與「助焊劑殘留清除」兩個製程步驟整合為一，過去這兩件事需要分開處理，現在一台設備即可完成，同時達到節能減碳效果。對於重視 ESG 的國際客戶而言，這是額外的加分項目。

截至 2025 年，印能在全球擁有超過 60 項專利，這是其技術護城河，但也意味著需要持續投入資源進行智財權的維護與攻防。

印能科技在先進封裝除泡設備領域的全球市佔率達九成，顯示其在特定利基市場具備領先地位。隨著 AI 晶片需求持續成長，先進封裝產能擴張，該公司短期內受惠趨勢明確。

不過，高度集中於單一技術領域也意味著業務多元化程度有限。未來若市場出現替代技術，或主要客戶調整供應鏈策略，都可能對其營運產生影響，印能目前積極布局矽光子（CPO）等新興領域，試圖擴大技術版圖，後續成效仍有待觀察。

為什麼先進封裝製程不能有氣泡？
AI晶片採用堆疊封裝技術，將多顆小晶片垂直堆疊。晶片之間需要填入膠材，如果膠材中殘留氣泡，當晶片高溫運作時，氣泡會膨脹，造成訊號傳輸異常，嚴重時直接撐裂晶片結構，導致整批產品報廢。
印能科技的除泡設備如何運作？
透過高壓真空除泡系統（VTS），精準控制壓力與溫度，將膠材中的微小氣泡「逼」出來。這套系統全球市佔率達九成，是先進封裝製程的關鍵設備。
什麼是台積電的CoPoS技術？
CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）是台積電下一代面板級先進封裝技術，將晶片封裝在大型方形基板上，取代傳統圓形矽中介層，目標是提升高階AI晶片的產能與良率。預計2026年試產，2028-2029年量產。
除了除泡，印能還有什麼技術？
印能掌握四大先進封裝技術： 1.除泡：消除膠材中的微小氣泡 2.翹曲抑制：維持超薄晶片在製程中的平整度 3. 高溫熔焊：確保堆疊晶片間金屬接點品質 4. 散熱測試：開發可應對1200瓦高功率的氣冷測試設備